產(chǎn)品展示
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HONG.T京誠(chéng)宏泰代理銷售電容6SY7000-0AA02
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售德國(guó)西門(mén)子電容6SY7000-0AA02
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京誠(chéng)宏泰HONG.T供應(yīng)二極管模塊6SY7000-0AA01
京誠(chéng)宏泰HONG.T原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)西門(mén)子二極管模塊6SY7000-0AA01
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西門(mén)子配件模塊A5E00301021
西門(mén)子配件模塊A5E00301021 北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品供應(yīng)SIEMENS西門(mén)子變頻器配件：IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；電容；整流二極管模塊；風(fēng)機(jī)；快熔
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西門(mén)子可控硅模塊6SY7000-0AB06
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
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