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三菱IGBT模塊CM600HG-90H

三菱IGBT模塊CM600HG-90H

型    號: CM600HG-90H
報    價: 9999
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

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MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600HG-90H

MITSUBISHI三菱高壓單管1單元IGBT模塊VCES=4500V;IC=900A

北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600HG-90H

CM200HG-130H  

CM400HG-66H      

CM400HG-130H
CM600HG-90H      

CM600HG-130H    

CM800HG-66H


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