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TOSHIBA東芝IGBT模塊MG200Q2YS40

TOSHIBA東芝IGBT模塊MG200Q2YS40

型    號： MG200Q2YS40
報    價： 999
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

詳細資料：

TOSHIBA東芝200A1200V IGBT模塊MG200Q2YS40

High Power Switching Applications 
Motor Control Applications 

High input impedance 
High speed : tf = 0.5µs (max) 
    trr = 0.5µs (max) 
Low saturation voltage 
 : VCE (sat) = 4.0V (max) 
Enhancement-mode 
The electrodes are isolated from case 

日本東芝 TOSHIBA IGBT 2單元600V系列：
MG25J2YS9MG50J2YS9MG75J2YS9MG100J2YS9
MG25J2YS91MG50J2YS91MG75J2YS91MG100J2YS91
MG150J2YS2MG200J2YS2MG75J2YS45MG100J2YS45
MG150J2YS21MG200J2YS21MG300J2YS91MG300J2YS9
MG150J2YS45MG200J2YS45MG300J2YS45　
日本東芝 TOSHIBA IGBT 2單元1200V系列：
MG15Q2YS9MG25N2YS40MG25Q2YS9MG75Q2YS1
MG100Q2YS1  MG100Q2YS9 MG25Q2YS91MG75Q2YS11
MG100Q2YS11  MG100Q2YS91 MG150Q2YS9 MG150Q2YS11
 MG150Q2YS91MG200Q2YS9MG200Q2YS11MG200Q2YS91

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